场效应管（FET）的选型涉及多个方面，包括应用需求、性能要求、电气参数等。以下是选型时需要考虑的几个重要因素： 应用需求：首先明确你要使用场效应管的具体应用，例如放大、开关、功率放大等。不同的应用需要不同类型的场效应管。 极性：确定是需要N沟道MOSFET还是P沟道MOSFET，根据电路要求选择适合的极性。 额定电压和电流：了解电路中场效应管的最大工作电压和最大电流需求，并选择具有足够裕量的额定值..

判断场效应管（FET）的极性通常依赖于其引脚标记和器件型号。在大多数情况下，场效应管具有明确的引脚排列和标识，使得判断其极性相对简单。 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是最常见的场效应管类型，它分为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET两种。 N沟道MOSFET（n-channel MOSFET）： 源极（Source）引脚通常标记为S。 栅极（Gate）引脚通常标记为G。 漏极（Drai..

测量场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是为了确定其电特性和性能，以确保它在电路中正常工作。场效应管是一种电子器件，通常具有栅极、漏极和源极三个引脚，因此测量需要特定的测试设备和方法。本文将介绍如何测量场效应管的基本电特性和一些常用的测量方法。 1. 测量基本电特性 以下是测量场效应管基本电特性的一些重要参数： - 栅极-源极截止电压（Vgs(off))： 这是在..

LTC2324HUKG-12#PBF 规格 产品属性属性值搜索类似 制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列:LTC2324 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-52 分辨率:12 bit 通道数量:4 Channel 接口类型:Serial CMOS, Serial LVDS 采样比:2 MS/s 输入类型:Dif..

LTC2324CUKG-12#PBF 规格 产品属性属性值搜索类似 制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列:LTC2324 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-52 分辨率:12 bit 通道数量:4 Channel 接口类型:Serial CMOS, Serial LVDS 采样比:2 MS/s 输入类型:Dif..

LTC2320IUKG-14#PBF 规格 产品属性属性值搜索类似 制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列:LTC2320-14 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-52 分辨率:14 bit 通道数量:8 Channel 接口类型:Serial CMOS, Serial LVDS 采样比:1.5 MS/s 输入类..

LTC2324IUKG-14#PBF 规格 产品属性属性值搜索类似 制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列:LTC2324 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-52 分辨率:14 bit 通道数量:4 Channel 接口类型:Serial CMOS, Serial LVDS 采样比:2 MS/s 输入类型:Dif..

LTC2324IUKG-14#PBF 规格 产品属性属性值搜索类似 制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列:LTC2324 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-52 分辨率:14 bit 通道数量:4 Channel 接口类型:Serial CMOS, Serial LVDS 采样比:2 MS/s 输入类型:Dif..

LTC2324IUKG-14#PBF 规格 产品属性属性值搜索类似 制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列:LTC2324 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-52 分辨率:14 bit 通道数量:4 Channel 接口类型:Serial CMOS, Serial LVDS 采样比:2 MS/s 输入类型:Dif..

LTC2320HUKG-16#PBF 规格 产品属性属性值搜索类似 制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列:LTC2320-16 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-52 分辨率:16 bit 通道数量:8 Channel 接口类型:Serial CMOS, Serial LVDS 采样比:1.5 MS/s 输入类..

埋伏很多年，知乎问答首答，见到这一文章标题确实想聊一聊自身认知能力里的ADI 针对一个硬件配置菜狗而言，ADI真是上帝一样的存有！ 针对ADI可以说的事儿太多了，但怎奈激动的心颤抖的手，语言表达匮乏的我不知道该知面。。。。。 大破冲霄楼不啰嗦，做为一家，迫不得已说一说ADI回收凌特（一样是一家，开关电源产品特别是在知名）后构建的开关电源电路μModule系列产品产品。 开关电源电路在人们日常生活的..

半导体材料生产商ADI（亚德诺半导体材料）企业7月13日表明，将以约210亿美金的价钱收购竞争者Maxim（美信），致力于扩张其在汽车和5G芯片制造行业的市场占有率。达到的协议书，ADI将根据全股票买卖交易收购Maxim，进而使统一后的公司的使用价值超出 680亿美金。 做为领跑的模拟芯片生产商，Maxim可称之为是舆论旋涡上的抢手货，包含ADI、TI、瑞萨以内的好几家模拟芯片生产商都与其说造成过..

FDG6317NZ_FDG6317NZ导读 器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。。电感器封装采用100 %无铅（Pb）屏蔽复合结构，蜂鸣噪声降至超低水平，具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力，可无饱和处理高瞬态电流尖峰。 这样的器件被认为是对称的。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。 IRF7313QTRPBF BYP35066A BYP35014A ..

FDG6304P_FDG6304P导读 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构..

FDG6301N_FDG6301N导读 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势，与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续品质和稳定供货。 FTD2017 FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ I..

BSD840N_BSD840N导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势，与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续品质和稳定供货。 FW257-TL-E TPC82..

AO6404_AO6404导读 作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。 所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。 SI4202DY-T1-E3 FDS6990-NL H..

IRF7910TRPBF_IRF7910TRPBF导读 作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。 这样的器件被认为是对称的。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。 SFS9926 NTJD4401NT1G PMGD280UN PMGD8000LN ..

DMG6898LSD_DMG6898LSD导读 而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势，与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续品质和稳定供货。 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 IRF7303QTRPBF SI1912EDH-T1-GE3 Si19..

AM4924N-T1-PF_AM4924N-T1-PF导读 器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。。电感器封装采用100 %无铅（Pb）屏蔽复合结构，蜂鸣噪声降至超低水平，具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力，可无饱和处理高瞬态电流尖峰。 而电动车上上用的功率mos是立体结构。小功率mos是平面型结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小..