IRF8910GTRPBF_IRF8910GTRPBF导读 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小..

AP5321GM_AP5321GM导读 NCE80H12此类MOS管在电动车正常运转时把电池里的直流电转换为交流电，从而带动电机运转。 这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。 STN9926 SI1912EDH-T1-GE3 Si1922EDH-T1-GE3 S..

TPC8223-H_MI4822导读 MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 TPC8223-H BYP35066A BYP35014A BYF35526..

SM7301DSKC-TRG_IRF7901D1TRPBF导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。 STS8DN3LLH5 SSM9926EM SSM9926EM-A..

SM4803DSKC-TRG_IRF7626TRPBF导读 我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。 简单来说电机是靠NCE80H12这种MOS管的输出电流来驱动的，输出电流越大（为..

SI4944DY-T1-E3_IRF6372TRPBF导读 这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。 它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。 UT8205..

SI4202DY-T1-E3_FW232-TL-E导读 而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势，与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续品质和稳定供货。 简单来说电机是靠NCE80H12这种MOS管的输出电流来驱动的，输出电流越大（为了防止过流烧坏MOS管，控制器有限流保护），电机扭矩就强，加速就有力，所以MOS管在电动车控制器中起到非..

MTB17A03Q8_FW216A导读 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。 MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。 STG8205 MT8205A PJ82..

MDS5601URH_FDS8978-NL导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。 ME4936 UM992..

IRF8313TRPBF_FDS8949-NL&特30V导读 日前发布的电感器基于Vishay受欢迎的IHLP?技术，频率高达10MHz，特别适合用于DC/DC转换器能量存储，以及电感器自谐振频率（SRF）以下的大电流滤波。 这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为..

FDS6990-NL_FDS6990AS-NL导读 。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。电感器封装采用100 %无铅（Pb）屏蔽复合结构，蜂鸣噪声降至超低水平，具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力，可无饱和处理高瞬态电流尖峰。 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。 CEM8912 UM9926 WNMD2155-8/TR ..

EMB17A03G_FDS6984S-NL导读 日前发布的电感器基于Vishay受欢迎的IHLP?技术，频率高达10MHz，特别适合用于DC/DC转换器能量存储，以及电感器自谐振频率（SRF）以下的大电流滤波。 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出7.4 mm x 6.6 mm x 3.0 mm 2525外形尺寸全新IHSR高温商用电感器..

CEM3138_FDS6982S-NL导读 日前发布的电感器基于Vishay受欢迎的IHLP?技术，频率高达10MHz，特别适合用于DC/DC转换器能量存储，以及电感器自谐振频率（SRF）以下的大电流滤波。 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 9936GM STC5NF20V STG8205 STG8810 ST..

AO4824_FDFS6N754-NL导读 。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。电感器封装采用100 %无铅（Pb）屏蔽复合结构，蜂鸣噪声降至超低水平，具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力，可无饱和处理高瞬态电流尖峰。 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。 F7313Q SSM9926EM SSM9926EM-A SSM9..

STN8205AAST8RG_BSO4804导读 日前发布的电感器基于Vishay受欢迎的IHLP?技术，频率高达10MHz，特别适合用于DC/DC转换器能量存储，以及电感器自谐振频率（SRF）以下的大电流滤波。 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出7.4 mm x 6.6 mm x 3.0 mm 2525外形尺寸全新IHSR高温商用电感..

XP133A1235SR_AM1960NE-T1-PF导读 场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型——。功率半导体的核心是PN结，从二极管、三极管到场效应管，都是根据PN结特性所做的各种应用。 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出温..

STM9926_APM4910KC-TRL导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势，与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续品质和稳定供货。 BYS32026A ..

SSM9926EM-A_AP6901GSM-HF导读 尽管高分辨率技术目前在音频市场上才刚刚起步，但其演变已然展开。VentureCraft是在这方面打头阵的一家公司，其在高分辨率便携式放大器、音乐播放器和头戴耳机放大器(包括广受欢迎的SounDroid Vantam产品线)研发领域处于领先水平。。 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NC..

BYN3695_IRF7752TRPBF导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 它们有今时今日的成功，创始人功不可没。为公司命名时创始人融入了他们对过去的缅怀、对未来的期望，一个简单的名字，它的背后承载着许多不为人知的故事……。电子行业中有许多的知名品牌，每一个..

BYP342_SQ4284EY-T1-GE3&特30V导读 作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。 BYF310..