FDG6304P_FDG6304P导读

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。

上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。

IRF7910TRPBF

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

TPC8214-H AM4924N-T1-PF DMG6898LSD FDS6890-NL FDS6898A-NL 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

FDG8850NZ MCH6662 NTJD4001NT1G NTJD4001NT2G NTJD4152PT1G 。

MMDF3N02HDR2G

AO6404 BSD840N FDG6301N FDG6304P FDG6317NZ 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。

NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。

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