IRF8910GTRPBF
发布时间:2021/12/15
IRF8910GTRPBF_IRF8910GTRPBF导读
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate
栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。
针对这种需求,新洁能生产出内阻小,抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12,NCE80H12的导通电阻小于6mΩ,输出电流可达120A,电机扭矩较好,。
AO8810&特14
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH
。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972
STS8DN3LLH5 。
FDC3601N AP50T10GM-HF FW257-TL-E HAT2035R 。
NTJD4401NT1G PMGD280UN PMGD8000LN QM2518C1
SI1902DL-T1-GE3 。
SI1912EDH-T1-GE3
AO6404 BSD840N FDG6301N FDG6304P FDG6317NZ 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。
锂电池主要由两大块构成,电芯和锂电池保护板PCM。
NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。
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