TSM6970DCA RV_P1504HV导读

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出温度系数（TCR）低至 2
ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。

上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。

IRF7303QTRPBF

但在结构上，它们之间相差很大，为了更好天文解功率MOSFET的机理，首要来回想一下小功率场效应管的机理。
。以下以N沟道增强型小功率MOSFET的结构来说明MOS管的原理。功率mos管工作原理 功率MOS管是从小功率MOS管展开来的。

原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A
BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104
BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

APM7334KC-TRL

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826
BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

。MOSFET的特性能够用搬运特性曲线和漏极输出特性曲线来表征。图3是某种场效应管的搬运特性。搬运特性是指在漏源之间的电压UDS在某一固定值时，栅极电压UGS与相对应的漏极电流ID之间的关系曲线。

图中MOSFET的结构是不合适运用在大功率的场所，缘由是两个方面的。一方面是结构上小功率MOSFET三个电极在一个平面上，沟道不能做得很短，沟道电阻大。另一方面是导电沟道是由外表感应电荷构成的，沟道电流是外表电流，要加大电流容量，就要加大芯片面积，这样的结构要做到很大的电流可能性也很小。

MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。。

NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP
NCE25TD120BT 。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP
NCE25TD120LP 。

相关资讯