BYP6619_HM4840导读

今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。

MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。

ME9926A

原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。

。MOS管的导电沟道，能够在制作过程中构成，也能够通过接通外部电源构成，当栅压等于零时就存在沟道（即在制作时构成的）称为耗尽型，在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N
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TPC8221-H

扩散电容：当外加正向电压时，靠近耗尽层交界面的非平衡少子浓度高，远离非平衡少子浓度低，且浓度自高到底逐渐衰减直到0。该现象中电荷积累和释放的过程与电容器充放电过程相同，称为扩散电容。当外加正向电压增大时，非平衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大，外加电压减小时，变化相反。

BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020
BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS
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。MOSFET的特性能够用搬运特性曲线和漏极输出特性曲线来表征。图3是某种场效应管的搬运特性。搬运特性是指在漏源之间的电压UDS在某一固定值时，栅极电压UGS与相对应的漏极电流ID之间的关系曲线。

NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U
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