BYF36590A_AO4906导读

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出温度系数（TCR）低至 2
ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。

假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。

BYF36525Z

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A
BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。

MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备
3、低电阻开关，减少导电损耗 4、高雪崩电流。

势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，较终使扩散运动达到平衡）；。

BYC4322 BYM4310 BYM4322 BYM4316 BYC4312 BYM438 BYS441
BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

SP8K2-TB

图中MOSFET的结构是不合适运用在大功率的场所，缘由是两个方面的。一方面是结构上小功率MOSFET三个电极在一个平面上，沟道不能做得很短，沟道电阻大。另一方面是导电沟道是由外表感应电荷构成的，沟道电流是外表电流，要加大电流容量，就要加大芯片面积，这样的结构要做到很大的电流可能性也很小。

BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020
BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。

N沟道增强型MOS管是把一块低掺杂的P型半导体作为衬底，在衬底上面用分散的方法构成两各重掺杂的N＋区，然后在P型半导体上生成很薄的一层二氧化硅绝缘层，然后在两个重掺杂的N+区上端用光刻的方法刻蚀掉二氧化硅层，暴露N+区，较终在两个N+区的外表以及它们之间的二氧化硅外表用蒸腾或者溅射的方法喷涂一层金属膜，这三块金属膜构成了MOS管的三个电极，分别称为源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS
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