BYF36519A
发布时间:2021/10/14
BYF36519A_AP6901GSM-HF导读
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。
假定导电沟道的载流子是电子,则称为N沟道;假定载流子是空穴,则称为P沟道。根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。
FDS6930A-NL
NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。
势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半导体结合后,由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中,因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区(该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行,较终使扩散运动达到平衡);。
BYN41020A BYM41019A BYM41063 BYM429 BYN4286 BYT4222
BYN4224 BYC4213 BYM4225 。
BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104
BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。
AP4232BGM
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020
BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。
在低UDS分开夹断电压较大时,MOS管相当于一个电阻,此电阻跟着UGS的增大而减小。截止区(UGS)。在导电沟道挨近夹断时,增长变缓。图MOS管的漏极输出特性场效应晶体管的输出特性能够划分为四个区域:可变电阻区、截止区、击穿区和恒流区。
可变电阻区(UDS 在这个区域内,UDS增加时,ID线性增加。
当UDS加大道必定数值今后,漏极PN结发生击穿,漏电流疾速增大,曲线上翘,进入击穿区。功率MOSFET应用在开关电源和逆变器等功率变换中,就是工作在截止区和击穿区两个区。
。饱满区(UDS>UGS-UT)在上述三个区域保卫的区域即为饱满区,也称为恒流区或放大区。击穿区在相当大的漏——源电压UDS区域内,漏极电流近似为一个常数。
MOS管在保护板中的作用是:1、检测过充电,2、检测过放电,3、检测充电时过电电流,4、检测放电时过电电流,5、检测短路时过电电流。
电动车锂电池能正常工作,很大程度上得益于锂电池保护板。
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